Görsel mevcut değil
MJD117T4G
MJD117T4G Hakkında
MJD117T4G, onsemi tarafından üretilen PNP Darlington transistördür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 100V kolektör-emiter bozulma voltajı ve 2A maksimum kolektör akımı ile çalışır. 1000 minimum DC akım kazancı (hFE) sayesinde düşük baz akımları ile yüksek kolektör akımlarını kontrol edebilir. 25MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Maksimum 1.75W güç yayınlaması ile sınırlı ısıl tasarımlar için uygun bir seçenektir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-65°C ~ 150°C) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Darlington yapısı nedeniyle düşük On-state voltaj düşüşü ile enerji verimliliği sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V