Görsel mevcut değil
MJD117RLG
MJD117RLG Hakkında
MJD117RLG, onsemi tarafından üretilen PNP Darlington transistörüdür. 100V collector-emitter gerilimi ve 2A collector akımı ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1000 minimum DC current gain (hFE) değeri ile düşük base akımında bile yüksek collector akımı sağlar. TO-252 (DPAK) yüzey montajlı paket türü, endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında yer tasarrufu sağlar. -65°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Motor kontrol, güç anahtarlaması ve darlington konfigürasyonunun gerekli olduğu amplifikasyon devrelerinde uygulanır. 25MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V