Görsel mevcut değil
MJD117-1G
MJD117-1G Hakkında
MJD117-1G, onsemi tarafından üretilen PNP Darlington transistörüdür. 100V kolektör-emitter gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile tasarlanmıştır. TO-251 (I-PAK) paketinde sunulan bu komponent, yüksek akım kazancı (hFE min: 1000 @ 2A, 3V) ile özellikle güç kuvvetlendirme uygulamalarında tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında çalışır ve 1.75W güç tüketebilir. Düşük saturasyon gerilimi karakteristiği ile anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, motor sürücüleri, solenoid kontrol ve röle sürücülerine uygun bir çözümdür. TTL/CMOS çıkışlarından doğrudan tahrik edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V