Görsel mevcut değil
MJD117-001
MJD117-001 Hakkında
MJD117-001, onsemi tarafından üretilen PNP Darlington transistördür. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100V kolektör-emiter breakdown voltajı ve 2A kolektör akımı ile çalışır. 1000'in üzerinde DC current gain (hFE) değeri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 25MHz transition frekansı ile orta hızlı komütasyon gerektiren devrelerde uygun bir seçimdir. -65°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Maksimum 1.75W güç dissipasyonu ile motor kontrolü, röle sürücüleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Darlington yapısı sayesinde düşük base akımı ile yüksek kolektör akımı elde edilebilir. Bileşen şu anda üretim dışı (obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
PNP - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V