Görsel mevcut değil
MJD112TF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10
MJD112TF Hakkında
MJD112TF, Rochester Electronics tarafından üretilen yüksek kazançlı NPN Darlington transistörüdür. 2A collector akımı ve 100V kırılma voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1000 minimum DC akım kazancı (hFE) sayesinde düşük base akımı ile yüksek collector akımı kontrolü sağlar. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, motor kontrol devreleri, röle sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 25MHz transition frequency ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel uygulamalara uygundur. 1.75W maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V