Görsel mevcut değil
MJD112T4G
MJD112T4G Hakkında
MJD112T4G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 100V kırılma gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile çalışmaktadır. 1000 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 3V saturasyon gerilimi ile güç uygulamalarında kullanılır. 20W maksimum güç yayılımı kapasitesi bulunmaktadır. -65°C ile 150°C arasında çalışabilir. 25MHz transition frekansı ile anahtarlama devrelerinde, güç kontrolü uygulamalarında ve endüstriyel kontrol sistemlerinde uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
20 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V