Görsel mevcut değil
MJD112RLG
MJD112RLG Hakkında
MJD112RLG, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. 100V kolek-emiter breakdown voltajı ve 2A maksimum kolektör akımıyla tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 1000'lik DC akım kazancı (hFE) ile düşük sürücü akımı gerektiren uygulamalara uygun hale getirilmiştir. 25MHz transition frequency ile sürücü, aydınlatma kontrolü, motor kontrol ve endüstriyel otomasyon devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. -65°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir çalışma sağlar. Maksimum 1.75W güç tüketimi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V