Görsel mevcut değil
MJD112RL
MJD112RL Hakkında
MJD112RL, onsemi tarafından üretilen surface mount NPN Darlington transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, 2A maksimum collector akımı ve 100V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1000 minimum DC current gain (hFE) değeri ile düşük base akımı gereksinimleri sunar. Frequency-transition değeri 25MHz olan bu transistör, motor sürücüleri, röle kontrol devreleri, power switching uygulamaları ve genel amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında çalışır ve maksimum 1.75W güç dissipasyonuna dayanır. Darlington konfigürasyonu nedeniyle yüksek akım kazancı ve düşük base-emitter voltajı özellikleri mevcuttur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V