Görsel mevcut değil
MJD112G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
MJD112G Hakkında
MJD112G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. TO-252-3 (DPak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100V collector-emitter voltajı ve 2A collector akımı ile çalışabilir. 1000'in üzerinde DC akım kazancı (hFE) ve 25MHz geçiş frekansı özelliğiyle sahiptir. 1.75W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan MJD112G, -65°C ile 150°C arasında sıcaklıkta çalışabilir. Düşük saturasyon voltajı ve yüksek akım kazancı nedeniyle anahtar devreler, motor kontrol uygulamaları, güç yönetimi ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Darlington yapısı sayesinde düşük base akımı ile yüksek collector akımlarını kontrol etme kapasitesine sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
DPAK
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V