Görsel mevcut değil
MJD112-1G
MJD112-1G Hakkında
MJD112-1G, onsemi tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1000'lik minimum DC current gain (hFE) sayesinde düşük base akımında yüksek collector akımı sağlar. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, röle sürücüleri, solenoid uygulamaları ve güç anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -65°C ile +150°C arasında çalışabilir ve 1.75W güç yayma kapasitesine sahiptir. Darlington yapısı nedeniyle daha düşük base-emitter açılış voltajı gerektirir, bu da kontrol devrelerini basitleştirir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V