Görsel mevcut değil
MJD112-001
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
MJD112-001 Hakkında
MJD112-001, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN Darlington transistörüdür. 100V kollektör-emiter gerilimi, 2A maksimum kollektör akımı ve 1.75W güç disipasyonuna sahiptir. 1000 (minimum) DC akım kazancı ile düşük akım uygulamalarında sürücü transistör olarak kullanılır. TO-251 (IPak) paketindeki through-hole montaj yapısı, endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında anahtarlama ve güç kontrol devrelerinde yer bulur. -65°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, relay, solenoid ve motor sürücü uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V