Görsel mevcut değil
MJB44H11T4G
MJB44H11T4G Hakkında
MJB44H11T4G, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount D2PAK (TO-263-3) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 10A kolektör akımı ve 80V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile motor sürücüleri, anahtarlama devreleri ve güç amplifikatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 50MHz transition frequency ve -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı geniş uygulama spektrumu sağlar. Minimum hFE değeri 40 (@4A, 1V) olup 1V maksimum Vce saturation voltajı ile verimli anahtarlama performansı sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
D²PAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 400mA, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V