Görsel mevcut değil
MJB41CT4G
MJB41CT4G Hakkında
MJB41CT4G, onsemi tarafından üretilen yüksek akım kapasiteli NPN bipolar junction transistördür. 100V collector-emitter gerilim dayanımı ve 6A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketine sahip olan bu transistör, 2W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile güç kaynakları, motor kontrolü, anahtarlama devreleri ve ses amplifikatörü gibi uygulamalarda yer alır. -65°C ile 150°C arasında çalışan transistör, 3MHz transition frequency ve 15 minimum DC current gain özelliklerine sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
6 A
Current - Collector Cutoff (Max)
700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
D²PAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 600mA, 6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V