Görsel mevcut değil
MJ802G
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 30A, 9
MJ802G Hakkında
MJ802G, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bir güç bipolar transistörüdür. 30A maksimum kolektör akımı ve 200W maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 90V kolektör-emitter bozulma voltajı ile orta düzey voltaj uygulamalarında kullanılır. 2MHz transition frekansı ve -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı sunmaktadır. TO-3 (TO-204AA) paketinde through-hole montajı destekler. Endüstriyel güç yönetimi, motor kontrol, ses amplifikasyonu ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-204 (TO-3)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 750mA, 7.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
90 V