Görsel mevcut değil
MJ802G
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 90V 30A TO3
MJ802G Hakkında
MJ802G, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-3 paketinde sunulan bu komponent, 90V collector-emitter breakdown voltajı ve 30A maksimum collector akımı ile 200W güç yönetebilir. DC akım kazancı (hFE) 7.5A ve 2V'de 25'tir. 2MHz transition frequency ile anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Geniş işletme sıcaklığı aralığı (-65°C ile 200°C arası), güç amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında tercih edilir. 750mA taban akımında 800mV saturasyon voltajı ile verimli çalışır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-204 (TO-3)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 750mA, 7.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
90 V