Görsel mevcut değil
MJ802
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- AF AMP
MJ802 Hakkında
MJ802, NTE Electronics tarafından üretilen silikon NPN bipolar junction transistörlü (BJT) bir bileşendir. Maksimum 30A collector akımı, 200W güç kapasitesi ve 90V collector-emitter breakdown voltajı ile audio amplifier ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-3 (TO-204AA) paketinde sunulan bu transistör, 2MHz transition frequency ve 25 (7.5A, 2V'de) minimum DC current gain özellikleri ile donatılmıştır. Vce saturation voltajı 800mV'tur. Through-hole montajı destekleyen MJ802, endüstriyel ve tüketici elektronikleri alanında yaygın olarak tercih edilen bir güç transistörüdür.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 7.5A, 2V
Frequency - Transition
2MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-204 (TO-3)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 750mA, 7.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
90 V