Görsel mevcut değil
MJ10023
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- HIV SW DARL
MJ10023 Hakkında
MJ10023, NTE Electronics tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. Silicon tabanlı bu bileşen, yüksek collector akımı kapasitesi (40A max) ve 250W güç derecelendirmesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3 metal pakajında sunulan transistör, -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında işlem görebilir. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 60 minimum DC current gain (10A, 5V'te) özellikleri ile motorlar, solenoidler, yüksek akımlı anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Cutoff (Max)
250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 5A, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V