Görsel mevcut değil
MJ10023
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- HIV SW DARL
- Ürün Ailesi
- MJ10023
MJ10023 Hakkında
MJ10023, NTE Electronics tarafından üretilen NPN Darlington transistördür. Silicon tabanlı bu bileşen, yüksek collector akımı kapasitesi (40A max) ve 250W güç derecelendirmesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-3 metal pakajında sunulan transistör, -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında işlem görebilir. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 60 minimum DC current gain (10A, 5V'te) özellikleri ile motorlar, solenoidler, yüksek akımlı anahtarlama devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
40 A
Current - Collector Cutoff (Max)
250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 10A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 5A, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V
