Görsel mevcut değil
MJ10021
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- HIV SW DARL
MJ10021 Hakkında
MJ10021, NTE Electronics tarafından üretilen yüksek akım NPN Darlington transistörüdür. TO-3 paketinde sunulan bu komponent, 60A maksimum collector akımı ve 250W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 250V collector-emitter breakdown voltajı ile güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Düşük hFE (75@15A, 5V) özelliği sayesinde sürücü devrelerinde verimli çalışma sağlar. -65°C ile 200°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, endüstriyel güç kontrol, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Cutoff (Max)
250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
75 @ 15A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
4V @ 4A, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
250 V