Görsel mevcut değil
MJ10016
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- PO HIV DARL
MJ10016 Hakkında
MJ10016, NTE Electronics tarafından üretilen silikon NPN Darlington transistörüdür. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, 50A'ye kadar kolektör akımı ve 250W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 500V kolektör-emitter breakdown voltajı ve -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv elektronikleri gibi yüksek sıcaklık ortamlarında kullanıma uygundur. Darlington konfigürasyonu nedeniyle düşük giriş akımı ile yüksek akım kazancı sağlar. Audio amplifikatörleri, motor sürücüleri ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Cutoff (Max)
250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 20A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 10A, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V