Görsel mevcut değil
MJ10015
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- PO HIV DARL
MJ10015 Hakkında
MJ10015, NTE Electronics tarafından üretilen yüksek akım NPN Darlington transistörüdür. TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, 50A maksimum collector akımı ve 250W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 400V collector-emitter breakdown voltajı ile endüstriyel ve ses amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. -65°C ile 200°C arasında çalışan bu transistör, düşük histerez ve stabil performans özellikleri nedeniyle motor sürücüleri, güç kaynakları ve ses amplifikatörlerinde yaygın olarak uygulanır. Darlington yapısı sayesinde düşük base akımı ile yüksek collector akımının kontrolü mümkündür.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Cutoff (Max)
250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 20A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
5V @ 10A, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V