Görsel mevcut değil
MJ10012
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- PO DARL SW
MJ10012 Hakkında
MJ10012, NTE Electronics tarafından üretilen, silikon tabanlı NPN Darlington transistörüdür. TO-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek akım ve güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10A maksimum kolektör akımı ve 175W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile güç amplifikasyonu, motor kontrol, endüstriyel sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 300'lük minimum DC akım kazancı (hFE) sayesinde düşük baz akımı gereksinimleri ile çalışabilir. 400V kolektör-emitter breakdown voltajı ile orta voltaj uygulamalarına uygundur. -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahip olan bu transistör, endüstriyel ortamlarda kullanım için özel olarak geliştirilmiştir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
300 @ 3A, 6V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
175 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2.5V @ 2A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V