Görsel mevcut değil
MJ10009
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- PO DARL SW
- Ürün Ailesi
- MJ10009
MJ10009 Hakkında
MJ10009, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum NPN Darlington transistörüdür. TO-204AA (TO-3) paketinde sunulan bu bileşen, 20A maksimum kollektör akımı ve 175W maksimum güç dağıtımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 500V kollektör-emitter breakdown voltajı sayesinde endüstriyel kontrol devreleri, güç anahtarlaması, motor sürücüleri ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. -65°C ile 200°C arasında çalışan bu transistör, 3.5V doyum voltajı ve minimum 40 DC akım kazancı özellikleriyle güvenilir anahtarlama performansı sağlar. Through-hole montajı ile kolay entegrasyon imkanı sunan MJ10009, yüksek akım gereksinimi olan elektronik sistemlerde yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Cutoff (Max)
250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 5A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
175 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3.5V @ 2A, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
500 V
