Görsel mevcut değil
MJ10004
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- PO DARL SW
MJ10004 Hakkında
MJ10004, NTE Electronics tarafından üretilen high-power NPN Darlington transistördür. TO-3 paketinde sunulan bu komponent, 20A maksimum collector akımı ve 175W güç dağılım kapasitesine sahiptir. 350V breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarına uygundur. -65°C ile 200°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. DC current gain değeri 50 (5A, 5V koşullarında) olup, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. Vce doyum voltajı 3V olarak belirlenmiştir. Through-hole montaj tipi nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Motor sürücüleri, güç anahtarlamaları ve yüksek akım uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Cutoff (Max)
250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 5A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
175 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 2A, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V