Görsel mevcut değil
MGD623N
- Üretici
- Sanken Electric USA Inc.
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 50A 150W TO3P
- Ürün Ailesi
- MGD623N
MGD623N Hakkında
MGD623N, Sanken Electric tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 50A sürekli kollektor akımı ve 100A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 150W maksimum güç dağıtımı ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmaya uygundur. 2.3V on-state voltajı (Vce) ve 300ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. Sürücü devrelerinde kullanıldığında 15V gate voltajı ile çalışır. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir. İnverter, motor kontrol ve güç kaynağı uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
50 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
100 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
150 W
Reverse Recovery Time (trr)
300 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Td (on/off) @ 25°C
75ns/300ns
Test Condition
300V, 50A, 39Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V
