Görsel mevcut değil
KST5551MTF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
KST5551MTF Hakkında
KST5551MTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi small signal bipolar transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 600mA maksimum kolektör akımı ve 160V VCE(BR)O diyelectric dayanımı ile orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 300MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemleri için uygundur. 350mW maksimum güç dağıtım kapasitesi, 80 minimum DC akım kazancı (10mA, 5V'de) ve 200mV saturasyon voltajı (5mA taban, 50mA kolektör akımında) belirtilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, genel sinyal işleme, anahtarlama devreleri, darbe amplifikasyonu ve düşük frekanslı RF uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V