Görsel mevcut değil
KST42MTF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 0.5A, 300V, NPN
KST42MTF Hakkında
KST42MTF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 300V maksimum collector-emitter gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 500mA collector akımı kapasitesine ve 350mW güç sınırlamasına sahip olan bu transistör, geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C) çalışabilmektedir. 50MHz transition frequency'si sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama devrelerinde ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. SOT-23-3 yüzey montajlı kasa ile PCB entegrasyonu kolaydır. DC akım kazancı (hFE) minimum 40 değerinde, VCE doyma gerilimi 500mV'tür. Anahtarlama devrelerinde, ses frekansı amplifikatörlerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 30mA, 10V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
350 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 2mA, 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V