Görsel mevcut değil
KSP8099TF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 500MA TO92-3
KSP8099TF Hakkında
KSP8099TF, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, 80V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA collector akımı ile çalışabilir. 625mW güç kapasitesi ile düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılır. 150MHz transition frequency özelliği ile ses frekansı ve RF uygulamalarında tercih edilebilir. DC current gain (hFE) 100 minimum değerinde tasarlanmıştır. 300mV saturation voltajı ile anahtarlama uygulamalarında düşük kayıplar sağlar. Through-hole montaj tipi nedeniyle geleneksel PCB tasarımlarında kullanıma uygundur. Maksimum 150°C junction temperature ile çalışabilmektedir. Küçük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve darbe devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition
150MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
625 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V