Görsel mevcut değil
KSH29CTF
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR
KSH29CTF Hakkında
KSH29CTF, Rochester Electronics tarafından üretilen Surface Mount NPN tipinde bir güç bipolar transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, 1A kolektör akımına ve 100V Vce breakdown voltajına sahiptir. 1.56W maksimum güç disipasyonu ile tasarlanan komponent, 150°C'ye kadar çalışabilir. DC current gain (hFE) değeri 1A, 4V'de minimum 15'tir. 700mV saturation voltajı ile düşük enerji kaybı sağlar. Genel amaçlı anahtarlama uygulamaları, küçük güç amplifikatörleri ve sinyal işleme devrelerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3MHz transition frequency ile orta hızlı işlemler için uygun bir seçenektir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.56 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 125mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V