Görsel mevcut değil
KSH112TM
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR
KSH112TM Hakkında
KSH112TM, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN Darlington tipi güç transistörüdür. 2A maksimum collector akımı, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.75W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 1000'in minimum DC current gain (hFE) ile yüksek akım amplifikasyonu sağlar. 25MHz transition frequency'si ile anahtarlama ve RF uygulamalarında kullanılabilir. Surface mount TO-252 (DPak) paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 150°C junction temperature'da çalışabilen bu bileşen, motor kontrolü, güç anahtarlama, LED sürücüleri ve benzer uygulamalarda değerlendirilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
20µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
1000 @ 2A, 3V
Frequency - Transition
25MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
1.75 W
Supplier Device Package
D-Pak
Transistor Type
NPN - Darlington
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 40mA, 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100 V