Görsel mevcut değil
KSD526YTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 4A, 80
KSD526YTU Hakkında
KSD526YTU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi power bipolar transistor (BJT) bileşenidir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 4A kolektör akımı ve 80V kolektör-emitter gerilimi kırılma değeri ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 30W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahip olan KSD526YTU, 500mA ve 5V'de minimum 120 hFE akım kazancı sağlar. 8MHz transition frequency ile darbe ve anahtarlama devrelerinde çalışabilir. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, güç anahtarlaması, amplifikatör uygulamaları ve elektronik yükler gibi ortamlarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
8MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
30 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V