Görsel mevcut değil
KSD526O
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 80V 4A TO-220
KSD526O Hakkında
KSD526O, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. TO-220-3 paket tipinde sunulan bu komponent, maksimum 4A kolektör akımı ve 80V collector-emitter gerilimi ile çalışabilir. 30W güç kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 70 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 1.5V saturasyon gerilimi ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 8MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerinde kullanılabilir. Sürücü devreleri, güç yönetimi ve RF amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak yer alır. Şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) olup stok ve alternatif komponent arayışında bulunmak gerekebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
30µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
70 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
8MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
30 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V