Görsel mevcut değil
KSD261GBU
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 20V 0.5A TO-92
KSD261GBU Hakkında
KSD261GBU, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 plastik paketinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerinde kullanılır. Maksimum 500mA kollektör akımı ve 20V Vce(br)dss ile genel amaçlı devre tasarımlarında tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 200 olup, 100mA ve 1V koşullarında ölçülmüştür. Maksimum 500mW güç tüketimine sahip olan bu komponent, ses amplifikatörleri, düşük frekanslı anahtarlama devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır. İleri dokunma kurşun sürümü olması, Through Hole montaj yöntemiyle manuel lehimleme işlemlerinde kolaylık sağlar.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 1V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V