Görsel mevcut değil
KSD261GBU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 20V 500MA TO92-3
KSD261GBU Hakkında
KSD261GBU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paket türünde sunulan bu bileşen, 20V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile çalışır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE @ 100mA, 1V) ve 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen bu transistör, düşük seviye sinyal işleme, anahtarlama devreleri ve mikrodenetleyici sürücü uygulamalarında yer alır. Ürün şu anda üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 1V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
500 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V