Görsel mevcut değil
KSD2012YTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 3A TO220F
KSD2012YTU Hakkında
KSD2012YTU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük ve orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu transistör, maksimum 3A kolektör akımı, 60V kırılma gerilimi ve 25W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile sürücü ve anahtarlama uygulamalarında etkin bir şekilde çalışır. 3MHz geçiş frekansı ve 1V saturasyon gerilimi sayesinde orta hızlı switching devrelerinde tercih edilebilir. 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, genel amaçlı anahtarlama ve güç kaynağı uygulamalarında yer bulur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
25 W
Supplier Device Package
TO-220F-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V