Görsel mevcut değil
KSD2012GTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- KSD2012 - NPN EPITAXIAL SILICON
KSD2012GTU Hakkında
KSD2012GTU, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial silicon transistördür. TO-220-3 through-hole paketlemesiyle sunulan bu transistör, 3A maksimum collector akımı ve 25W güç dağıtım kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile elektronik cihazlar, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve ses amplifikatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 3MHz transition frequency ve 150 (minimum) DC current gain özellikleriyle orta frekanslı devrelerde çalışmaya uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
25 W
Supplier Device Package
TO-220F-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V