Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
KSD2012GTU
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 3A TO-220F
KSD2012GTU Hakkında
KSD2012GTU, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup 60V kollektör-emitör gerilimi ve 3A maksimum kollektör akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu komponent, 25W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilen transistör, 3MHz transition frequency ile orta frekans uygulamarında kullanılabilir. 1V saturation voltajı ile anahtarlama devrelerinde verimli çalışır. Güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri, anahtarlama düzenleyicileri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
25 W
Supplier Device Package
TO-220F-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V