Görsel mevcut değil
KSD1691GSTU
- Üretici
- onsemi
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 60V 5A TO-126
KSD1691GSTU Hakkında
KSD1691GSTU, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-126-3 paket içinde sunulan bu komponent, 60V maksimum collector-emitter gerilimi ve 5A maksimum collector akımı ile orta güçlü uygulamalar için tasarlanmıştır. 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 1.3W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 150°C çalışma sıcaklığı ve aktif parça statüsü ile güvenilir bir seçimdir. TTL/CMOS lojik devreleri, motor kontrolü, güç anahtarlaması ve sinyal amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2A, 1V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Active
Power - Max
1.3 W
Supplier Device Package
TO-126-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V