Görsel mevcut değil
KSD1221OTU
KSD1221OTU Hakkında
KSD1221OTU, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-251-3 (I-PAK) paketinde sunulan bu bileşen, 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile 150°C çalışma sıcaklığında stabil performans sunar. 3MHz transition frekansı ve 60 @ 500mA minimum DC current gain (hFE) değerleriyle genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. Vce saturation değeri 1V @ 300mA, 3A olarak belirlenmiştir. Through-hole montaj özelliğine sahip olan bu transistör, güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yer bulabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V