Görsel mevcut değil
KSD1221GTU
KSD1221GTU Hakkında
KSD1221GTU, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251 (I-PAK) paketinde sunulan bu transistör, maksimum 60V kollektör-emitter gerilimi ve 3A kollektör akımı ile çalışabilir. 1W güç dağıtma kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilen bu komponent, 3MHz transition frequency ile orta frekanslı anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. DC current gain (hFE) minimum 150 değerine sahip olup, 1V maksimum doyum gerilimi ile iyi anahtarlama karakteristikleri gösterir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, genel amaçlı anahtarlama ve yükselten devrelerinde kullanılabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
I-PAK
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V