Görsel mevcut değil
KSC1008CYTA
KSC1008CYTA Hakkında
KSC1008CYTA, onsemi tarafından üretilen genel amaçlı NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 700mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 800mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi ve 50MHz transition frekansı ile ses frekansı ve düşük frekansı anahtarlama devrelerinde, küçük sinyal amplifikasyonunda ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 120 minimum DC current gain (hFE) değeri ile güvenilir çalışma sağlar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
700 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V