Görsel mevcut değil
KSB1151YSTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, 60
KSB1151YSTU Hakkında
KSB1151YSTU, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi güç transistörüdür. TO-126-3 paketinde sunulan bu komponent, 5A maksimum kolektör akımı ve 60V kesme voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.3W güç yayılım kapasitesi ve 160 minimum DC akım kazancı (hFE), anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde etkin çalışma sağlar. 150°C çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ortamlardaki uygulamalara uygunluğunu gösterir. Düşük doyma voltajı (300mV) ve Through Hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir. Ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri ve güç anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 2A, 1V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Active
Power - Max
1.3 W
Supplier Device Package
TO-126-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V