Görsel mevcut değil
KSB1151YSTSTU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR
KSB1151YSTSTU Hakkında
KSB1151YSTSTU, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar güç transistörüdür. Maksimum 5A collector akımı ve 1.3W güç dağıtım kapasitesine sahip bu transistör, 60V collector-emitter breakdown voltajında çalışır. 160 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 2A, 1V koşullarında işletilir. TO-126-3 paketinde gelen bileşen, through-hole montaj türüyle PCB'ye sabitlenir. 150°C maksimum işletme sıcaklığında güvenilir performans sunar. Saturation voltajı 300mV'de (200mA taban, 2A collector akımında) belirtilmiştir. Güç kaynakları, amplifikatörler, anahtarlama devreleri ve düşük frekanslı sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
160 @ 2A, 1V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-225AA, TO-126-3
Part Status
Active
Power - Max
1.3 W
Supplier Device Package
TO-126-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V