Görsel mevcut değil
KSB1116AGBU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 60V 1A TO92-3
KSB1116AGBU Hakkında
KSB1116AGBU, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 paketinde gelen bu transistör, 60V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum kolektör akımı ile karakterize edilir. 750mW güç dağıtımı kapasitesine ve 120MHz geçiş frekansına sahip olan bileşen, 200 minimum DC akım kazancı (hFE) sunmaktadır. 300mV saturasyon voltajı ve 100nA kesme akımı ile düşük güç tüketimli anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında operasyon yapabilmektedir. Ürün durumu itibariyle obsolete olmasına rağmen, belirli eski cihaz ve devrelerde yenileme çalışmalarında tercih edilebilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
750 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V