Görsel mevcut değil
KSA709GBU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 150V 700MA TO92-3
KSA709GBU Hakkında
KSA709GBU, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistor (BJT) olup TO-92-3 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 150V collector-emitter gerilimi ve 700mA collector akımı ile çalışan bu transistör, 800mW güç tüketimi sınırlaması içermektedir. DC akım kazancı (hFE) 50mA'de ve 2V Vce'de minimum 200 değerinde olup, 50MHz transition frekansı ile orta hızlı uygulamalar için uygun bir komponenttir. Collector cutoff akımı maksimum 100nA ve saturation voltajı 400mV'dir. İleri seviye darbe, anahtarlama ve düşük frekans amplifikasyon devrelerinde genel amaçlı PNP transistor olarak kullanılmaktadır. Maksimum junction sıcaklığı 150°C olan bu transistör, through-hole montaj teknolojisine uyumludur ve Obsolete statüsü taşımaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
700 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Obsolete
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
150 V