Görsel mevcut değil
KSA1013OBU
- Üretici
- Rochester Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- 1A, 160V, PNP
KSA1013OBU Hakkında
KSA1013OBU, Rochester Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). 1A collector akımı, 160V collector-emitter breakdown voltajı ve 900mW maksimum güç disipasyonu özellikleriyle genel sinyal anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50MHz geçiş frekansı ve 100'ün üzerinde DC akım kazancı ile orta frekans uygulamaları destekler. TO-92-3 paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar işletme sıcaklığında çalışabilir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol devreleri ve ses amplifikatörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilmektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 200mA, 5V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Part Status
Active
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
TO-92-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V