Görsel mevcut değil
JANTXV2N6251
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANTXV2N6251 Hakkında
JANTXV2N6251, Microchip Technology tarafından üretilen yüksek gerilim NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-3 paketinde sunulan bu bileşen, 350V kollektör-emiter diyelectric dayanımı ve 5.5W maksimum güç seviyesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 1mA kollektör kesme akımı, 10A nominal akımda 1.5V doyum gerilimi ve geniş -65°C ~ 200°C çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve yüksek sıcaklık ortamlarında güvenilir çalışma sağlar. Genel amaçlı güç amplifikasyonu, sürücü devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montajı ile PCB'ye doğrudan lehimlenir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
6 @ 10A, 3V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-204AA, TO-3
Part Status
Active
Power - Max
5.5 W
Supplier Device Package
TO-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 1.67A, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V