Görsel mevcut değil
JANTXV2N6213
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR
JANTXV2N6213 Hakkında
JANTXV2N6213, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-66 (TO-213AA) pakette sunulmaktadır. Maximum 3W güç kapasitesi ve 350V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunmaktadır. 5mA maximum collector akımı ve 30 minimum DC current gain (hFE) değerleri ile switch ve amplifier uygulamalarında tercih edilebilir. Yüksek sıcaklık ortamlarında ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanım için tasarlanmıştır. Through-hole montaj tipi ile PCB'lere direkt lehimleme yapılır.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
5 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 1A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TA)
Package / Case
TO-213AA, TO-66-2
Part Status
Active
Power - Max
3 W
Supplier Device Package
TO-66 (TO-213AA)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 125mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
350 V