Görsel mevcut değil
JANTXV2N5680
- Üretici
- MACOM Technology Solutions
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- DIODE
JANTXV2N5680 Hakkında
JANTXV2N5680, MACOM Technology Solutions tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-39 metal konektörlü kapsülde sunulan bu bileşen, 1A maksimum collector akımı ve 120V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. -65°C ile 200°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ve askeri uygulamalarda kullanım için uygundur. 1W maksimum güç derecelendirmesi ile düşük sinyal amplifikasyon devrelerinden orta seviye güç yönetimi uygulamalarına kadar çeşitli kullanım alanları vardır. Anahtarlama devreleri, güç kaynakları ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmiştir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 250mA, 2V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Market
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
120 V