Görsel mevcut değil
JANTXV2N5416U4/TR
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR POWER BJT
JANTXV2N5416U4/TR Hakkında
JANTXV2N5416U4/TR, Microchip Technology tarafından üretilen güç BJT (Bipolar Junction Transistor) transistörüdür. PNP tipi bu transistör, 1A maksimum collector akımı ve 300V breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. Surface mount U4 paketinde sunulan komponent, -65°C ile +200°C arasında çalışabilir ve 1W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 50mA collector akımında 10V Vce'de minimum 30'dur. Saturasyon voltajı 5mA baz akımında 50mA collector akımında maksimum 2V'dir. Endüstriyel, tüketici ve otomotiv uygulamalarında anahtarlama, amplifikasyon ve sürücü devreleri için uygun bir komponenttir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 @ 50mA, 10V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
3-SMD, No Lead
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
U4
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
2V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
300 V