2.000₺ ve üzeri siparişlerinizde kargo ücretsizdir.
JANTXV2N5339U3 Görsel mevcut değil

Görsel mevcut değil

JANTXV2N5339U3

Üretici
Microchip
Kılıf / Paket
Açıklama
TRANS NPN 100V 5A SMD5

JANTXV2N5339U3 Hakkında

JANTXV2N5339U3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. TO-39 metal can pakette sunulan bu transistör, -65°C ile +200°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığına sahiptir. 1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ses amplifikatörleri, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yer alır. 60 minimum DC current gain (hFE) değeri ile stabil amplifikasyon sağlar. Yüksek sıcaklık ve güç gereksinimlerine sahip endüstriyel ve savunma uygulamalarında tercih edilir.

Ürün Özellikleri

12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 2A, 2V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status Market
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-39 (TO-205AD)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 500mA, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V